Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 40 mΩ, 40 A, TO-220AB, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-7990
Codice costruttore:
RFP40N10
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

40 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-220AB

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

40 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Dissipazione di potenza massima

16 W

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Larghezza

4.83mm

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

300 nC a 20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

10.67mm

Altezza

9.65mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.


Transistor MOSFET, ON Semi


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Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.