Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 28 mΩ, 45 A, TO-220AB, Su foro
- Codice RS:
- 215-8050
- Codice costruttore:
- RFP45N06
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
- Codice RS:
- 215-8050
- Codice costruttore:
- RFP45N06
- Costruttore:
- Fairchild Semiconductor
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Fairchild Semiconductor | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 45 A | |
| Tensione massima drain source | 60 V | |
| Tipo di package | TO-220AB | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 28 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Dissipazione di potenza massima | 131 W | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 125 nC a 20 V | |
| Larghezza | 4.57mm | |
| Lunghezza | 10.28mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
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|---|---|---|
Marchio Fairchild Semiconductor | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 45 A | ||
Tensione massima drain source 60 V | ||
Tipo di package TO-220AB | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 28 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Dissipazione di potenza massima 131 W | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Carica gate tipica @ Vgs 125 nC a 20 V | ||
Larghezza 4.57mm | ||
Lunghezza 10.28mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Altezza 9.02mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
