MOSFET Infineon, canale N, 360 MO, 12,5 A, IPAK SL (TO-251 SL), Su foro

Infineon CoolMOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. Il più recente CoolMOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc. la nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida, in combinazione con un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e un livello di facilità d'uso all'avanguardia art. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili.

Perdite estremamente basse dovute a FOMRDS(ON)*Qg molto basso e RDS(ON)*Eoss
Eccellente comportamento termico
Diodo di protezione ESD integrato
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Convalida prodotto conf. Standard JEDEC