MOSFET Infineon, canale Tipo N 600 V, 1.5 Ω Miglioramento, 5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IPU60R1K5CEAKMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2585
Codice costruttore:
IPU60R1K5CEAKMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

CoolMOS CE

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

49W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.4nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.41mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

Infineon CoolMOS™ CE è adatto per applicazioni di commutazione hard e soft e come moderna supergiunzione, offre basse perdite di conduzione e commutazione migliorando l'efficienza e riducendo infine il consumo energetico. I modelli CoolMOS™ CE 600V, 650V e 700V combinano R DS(on) e contenitore ottimali e sono adatti per caricabatterie a bassa potenza per telefoni cellulari e tablet.

Margini stretti tra R DS(on) tipico e massimo

Energia ridotta immagazzinata nella capacità di uscita (e oss)

Buona robustezza del diodo del corpo e carica di recupero inverso ridotta (q rr)

R g ottimizzata integrata

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