MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 4.4 mΩ N, 17 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

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Codice RS:
218-2983
Codice costruttore:
BSZ0589NSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.4mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

5.2nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4 mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N Infineon. Questo MOSFET è ottimizzato per caricabatterie wireless ad alte prestazioni.

Basso FOMSW per SMPS ad alta frequenza

Resistenza RDS(ON) molto bassa in stato attivo @ VGS=4,5 V.

Testato con effetto valanga al 100%

Eccellente resistenza termica

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