MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 2 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante IPB120N06S4H1ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
218-3033
Codice costruttore:
IPB120N06S4H1ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS-T2

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N serie Infineon OptiMOS™-T2. Ha basse perdite di potenza di conduzione e commutazione per un'elevata efficienza termica.

Canale N - modalità potenziata

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Testato al 100% con effetto valanga

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