MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N, 1 Ω 90 V, 2.5 A, LBB, Montaggio superficiale, 5 Pin RF3L05150CB4
- Codice RS:
- 218-4819P
- Codice costruttore:
- RF3L05150CB4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 218-4819P
- Codice costruttore:
- RF3L05150CB4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 90V | |
| Tipo di package | LBB | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1Ω | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 90V | ||
Tipo di package LBB | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1Ω | ||
STMicroelectronics XXXx è lo stato dell'ART LDMOS FET progettato per le applicazioni di comunicazione a banda larga e ISM con frequenze da HF a 1 GHz. Questo prodotto trova applicazione anche nelle comunicazioni commerciali a terra da 136-174 MHz e nei sistemi di comunicazione terra/aria da 30-512 MHz Jammer.
Protezione ESD integrata
Operazioni ad elevata efficienza e guadagno lineare
Conforme alla direttiva europea 2002/95/CE