1 MOSFET STMicroelectronics, 0.21 Ω, 90 A 1200 V, H2PAK-7, Montaggio superficiale, 7 Pin SCTH70N120G2V-7
- Codice RS:
- 219-4224P
- Codice costruttore:
- SCTH70N120G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 219-4224P
- Codice costruttore:
- SCTH70N120G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Serie | SCTH70N | |
| Tipo montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.21Ω | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Serie SCTH70N | ||
Tipo montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.21Ω | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando la tecnologia MOSFET Sic avanzata e innovativa di 2a generazione di ST. Il dispositivo è caratterizzato da una notevolmente bassa resistenza all'accensione per area unitaria e da ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.
Capacità di temperatura di esercizio molto elevata (TJ = 175 °C)
Diodo intrinseco molto veloce e robusto
Carica gate estremamente bassa e capacità di ingresso estremamente bassa