1 MOSFET STMicroelectronics, 0.21 Ω, 90 A 1.2 kV, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin SCTH70N120G2V-7
- Codice RS:
- 219-4224P
- Codice costruttore:
- SCTH70N120G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 219-4224P
- Codice costruttore:
- SCTH70N120G2V-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 0.21 Ω | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 90 A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 1.2 kV | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Serie | SCTH70N | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 0.21 Ω | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 90 A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 1.2 kV | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Serie SCTH70N | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances