MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 700 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, Hip-247, Superficie SCTW40N120G2V
- Codice RS:
- 219-4228P
- Codice costruttore:
- SCTW40N120G2V
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 219-4228P
- Codice costruttore:
- SCTW40N120G2V
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 36A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Serie | SCTW40N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 700mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 3.3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 36A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Serie SCTW40N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 700mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 3.3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SIC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.
Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse