MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 40 V, 110 mΩ, 120 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL260N4LF7
- Codice RS:
- 219-4230P
- Codice costruttore:
- STL260N4LF7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,92 € |
| 50 - 120 | 2,626 € |
| 125 - 245 | 2,494 € |
| 250 + | 2,428 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 219-4230P
- Codice costruttore:
- STL260N4LF7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | STL260N | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 110mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 188W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie STL260N | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 110mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 188W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura trench gate migliorata che si traduce in una resistenza molto bassa in stato attivo, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
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