MOSFET onsemi, canale N 150 V, 5 mΩ Miglioramento, 139 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 221-6694P
- Codice costruttore:
- NTB5D0N15MC
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 221-6694P
- Codice costruttore:
- NTB5D0N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 139A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | NTB5D0N | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 75nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 214W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 15.88mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 139A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie NTB5D0N | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 75nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 214W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 15.88mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza 150V on Semiconductor ha utilizzato 139 A di corrente di drain utilizzata con un singolo canale N−. È stato prodotto utilizzando un Advanced Power Trench Process che incorpora la tecnologia con gate schermato. È dotato del Qrr più basso del settore e del diodo corpo più morbido per un'eccellente commutazione a bassa rumorosità.
Max RDS(ON) 5,0 m a VGS a 10V
Qrr inferiore del 50% rispetto ad altri fornitori di MOSFET
Basso rumore di commutazione/livello di EMI
Testato al 100% con UIL