MOSFET onsemi, canale N 60 V, 1.1 mΩ Miglioramento, 342 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 221-6695
- Codice costruttore:
- NTBGS001N06C
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 221-6695
- Codice costruttore:
- NTBGS001N06C
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 342A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | NTBGS | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.1mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 245W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 139nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.2mm | |
| Altezza | 15.7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 342A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie NTBGS | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.1mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 245W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 139nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.2mm | ||
Altezza 15.7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza 60V on Semiconductor ha utilizzato 342A di corrente di drain con canale N−singolo. Ha un rumore di commutazione/EMI ridotto e riduce le perdite di conduzione.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione
Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver