MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 1.74 mΩ Miglioramento, 170 A, 5 Pin, DFN, Superficie NTMFS1D7N03CGT1G
- Codice RS:
- 221-6730P
- Codice costruttore:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 221-6730P
- Codice costruttore:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 170A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | NTMFS1D7N | |
| Tipo di package | DFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.74mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 87W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Pb-Free, RoHS | |
| Altezza | 6.3mm | |
| Lunghezza | 5.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 170A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie NTMFS1D7N | ||
Tipo di package DFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.74mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 87W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Pb-Free, RoHS | ||
Altezza 6.3mm | ||
Lunghezza 5.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza 30V on Semiconductor ha utilizzato 170 A di corrente di drain con canale N−singolo. Migliora la gestione della corrente di spunto e migliora l'efficienza del sistema.
Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione
Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver