MOSFET onsemi, canale N 650 V, 67 mΩ Miglioramento, 40 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante NTP067N65S3H

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
221-6742
Codice costruttore:
NTP067N65S3H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-220

Serie

NTP067N

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

67mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

266W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

10.67mm

Altezza

16.3mm

Larghezza

4.7mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET SUPERFET III on Semiconductor è dotato di famiglia MOSFET a super giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Carica di gate ultra bassa

Bassa capacità di uscita effettiva 691 pF

Testato con effetto valanga al 100%

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