MOSFET DiodesZetex Duale, canale Tipo N, 0.02 Ω, 21.2 A 40 V, PowerDI3333-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 222-2875P
- Codice costruttore:
- DMT4015LDV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
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- Codice RS:
- 222-2875P
- Codice costruttore:
- DMT4015LDV-7
- Costruttore:
- DiodesZetex
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | DiodesZetex | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 21.2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | DMT | |
| Tipo di package | PowerDI3333-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.02Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio DiodesZetex | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 21.2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie DMT | ||
Tipo di package PowerDI3333-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.02Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Tensione diretta Vf 0.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
Il MOSFET in modalità potenziata a canale N DiodesZetex è progettato per ridurre la resistenza in stato attivo (RDS(ON)) e allo stesso tempo mantenere eccellenti prestazioni di commutazione, il che lo rende ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Bassa resistenza in stato attivo
Bassa capacità d'ingresso
Elevata velocità di commutazione
Bassa dispersione di ingresso/uscita
Gate con protezione ESD