1 MOSFET ROHM Duale, canale Tipo N, Tipo P, 56 mΩ, 5 A 30 V, SOP, Superficie Miglioramento, 8 Pin SP8M3HZGTB
- Codice RS:
- 222-4380
- Codice costruttore:
- SP8M3HZGTB
- Costruttore:
- ROHM
Prezzo per 10 unità, in una confezione da 10*
12,48 €
(IVA esclusa)
15,23 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,248 € | 12,48 € |
| 50 - 90 | 1,223 € | 12,23 € |
| 100 - 240 | 1,11 € | 11,10 € |
| 250 - 990 | 0,996 € | 9,96 € |
| 1000 + | 0,978 € | 9,78 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4380
- Codice costruttore:
- SP8M3HZGTB
- Costruttore:
- ROHM
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOP | |
| Serie | SP8M3 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 56mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOP | ||
Serie SP8M3 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 56mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
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