MOSFET Infineon, canale N 650 V, 180 mΩ Miglioramento, 9 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 222-4642P
- Codice costruttore:
- IPA60R180C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Ottieni uno sconto acquistando quantità maggiori
Aggiungi 50 in più per risparmiare 10,50 €
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 25 unità (fornito in tubo)*
79,00 €
(IVA esclusa)
96,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 445 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Risparmio |
|---|---|---|
| 25 - 45 | 3,16 € | - |
| 50 - 120 | 2,95 € | 10,50 € |
| 125 - 245 | 2,736 € | 53,00 € |
| 250 + | 2,562 € | 149,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4642P
- Codice costruttore:
- IPA60R180C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 180mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 180mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon di Cool MOS™ C7 è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina l'esperienza del fornitore leader di MOSFET SJ con un'innovazione di alta classe. Il modello 600V C7 è la prima tecnologia mai realizzata con RDS(ON)*A inferiore a 1Ohm*mm².
In grado di conduzione inversa
Bassa carica di gate, bassa carica di uscita
Eccellente robustezza di commutazione
Adatto per applicazioni di grado standard in conformità agli standard JEDEC