MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 12 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 222-4669P
- Codice costruttore:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,622 € |
| 100 - 240 | 0,595 € |
| 250 - 490 | 0,57 € |
| 500 + | 0,529 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4669P
- Codice costruttore:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 94W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 94W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 2.3mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
MSL1 fino a 260 °C con certificazione AEC Q101 per la saldatura a riflusso Peak
OptiMOS™ - MOSFET di potenza per applicazioni automobilistiche