MOSFET Infineon, canale Tipo N 650 V, 120 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPP60R120C7XKSA1
- Codice RS:
- 222-4702P
- Codice costruttore:
- IPP60R120C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità |
|---|---|
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| 20 - 48 | 3,12 € |
| 50 - 98 | 2,90 € |
| 100 + | 2,71 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4702P
- Codice costruttore:
- IPP60R120C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 120mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 92W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 92W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET Infineon, noti anche come transistor MOSFET, sono l'acronimo di 'Metal Oxide Semiconductor Field-Effect transistor'. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Placcatura senza piombo; Conformità RoHS
Eccellente resistenza termica testata al 100% con effetto valanga
Senza alogeni in conformità a IEC61249-2-23