MOSFET Infineon, canale N 600 V, 37 mΩ Miglioramento, 76 A, 4 Pin, TO-247, Superficie IPZA60R037P7XKSA1
- Codice RS:
- 222-4731
- Codice costruttore:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 222-4731
- Codice costruttore:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 76A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 37mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 121nC | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 255W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 76A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 37mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 121nC | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 255W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 21.1mm | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon della piattaforma di generazione Cool MOS™ 7th è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies.
Eccellente robustezza ESD >2kV (HBM) per tutti i prodotti
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