MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 600 V, 750 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 225-0672P
- Codice costruttore:
- STD9N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 225-0672P
- Codice costruttore:
- STD9N60M6
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 750mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 76W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 750mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 76W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La nuova tecnologia MDmesh M6 di STMicroelectronics incorpora i più recenti progressi nella nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente miglioramento RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché un'esperienza facile da usare per la massima efficienza delle applicazioni finali.
Perdite di commutazione ridotte
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa resistenza di ingresso gate
Testato con effetto valanga al 100%
Protezione Zener
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