MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 39 mΩ Miglioramento, 72 A, 3 Pin, TO-247, Superficie STWA68N65DM6AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0679
Codice costruttore:
STWA68N65DM6AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

MDmesh DM6

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

39mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

480W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

118nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

40.92mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.1mm

Larghezza

15.8mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza

Testato con effetto valanga al 100%

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

629

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