MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 39 mΩ Miglioramento, 72 A, 3 Pin, TO-247, Superficie STWA68N65DM6AG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
225-0679
Codice costruttore:
STWA68N65DM6AG
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

72A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

MDmesh DM6

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

39mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

118nC

Tensione diretta Vf

1.6V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

480W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

5.1mm

Lunghezza

40.92mm

Larghezza

15.8 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.

Diodo corpo a recupero rapido

RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente

Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza

Testato con effetto valanga al 100%

Robustezza dv/dt estremamente elevata

Protezione Zener

629

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