MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 650 V, 39 mΩ Miglioramento, 72 A, 3 Pin, TO-247, Superficie
- Codice RS:
- 225-0679P
- Codice costruttore:
- STWA68N65DM6AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
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| 500 + | 6,67 € |
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- Codice RS:
- 225-0679P
- Codice costruttore:
- STWA68N65DM6AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 72A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM6 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 39mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 118nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 480W | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 40.92mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 72A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie MDmesh DM6 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 39mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 118nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 480W | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 40.92mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla precedente generazione rapida MDmesh, DM6 combina una carica di recupero molto bassa (Qrr), un tempo di recupero (trr) e un eccellente miglioramento in RDS(ON) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte ad alta efficienza più impegnative e convertitori a sfasamento ZVS.
Diodo corpo a recupero rapido
RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente
Bassa carica di gate, capacità di ingresso e resistenza
Testato con effetto valanga al 100%
Robustezza dv/dt estremamente elevata
Protezione Zener
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