MOSFET Vishay, canale N 80 V, 4 mΩ, 137.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR5802DP-T1-RE3
- Codice RS:
- 225-9932P
- Codice costruttore:
- SIR5802DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità |
|---|---|
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- Codice RS:
- 225-9932P
- Codice costruttore:
- SIR5802DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 137.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | N-Channel 80 V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 60nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.25mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.12mm | |
| Altezza | 5.26mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 137.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie N-Channel 80 V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 60nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.25mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.12mm | ||
Altezza 5.26mm | ||
Standard automobilistico No | ||
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