MOSFET Vishay, canale N 30 V, 1.06 mΩ Miglioramento, 185.6 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS54DN-T1-GE3
- Codice RS:
- 228-2933P
- Codice costruttore:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 228-2933P
- Codice costruttore:
- SiSS54DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 185.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo di package | PowerPAK 1212 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.06mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 65.7W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 47.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 185.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo di package PowerPAK 1212 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.06mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 65.7W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 47.5nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Vishay a canale N da 30 V (D-S).
Testato al 100% Rg e UIS