MOSFET di potenza Vishay, canale N 700 V, 73 mΩ Miglioramento, 47 A, 3 Pin, TO-247AD, Foro passante SQW44N65EF-GE3

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Codice RS:
228-2976
Codice costruttore:
SQW44N65EF-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

47A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

E

Tipo di package

TO-247AD

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

73mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

177nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

900mV

Dissipazione di potenza massima Pd

500W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza serie E Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 700 V, corrente di drenaggio continua 47 A - SQW44N65EF-GE3


Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione ad alta tensione progettato per applicazioni elettroniche impegnative che richiedono una gestione della corrente sostanziale e una resistenza alla temperatura elevata. Si tratta di un dispositivo di potenziamento a canale N fornito in un contenitore TO-247AD a foro passante ed è adatto per la conversione di potenza, gli azionamenti dei motori e gli ambienti di commutazione industriale in cui sono necessari componenti compatti e montabili.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale di drenaggio di 700 V consente progetti di sistemi ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 47 A supporta la commutazione per carichi pesanti
• L'Rds(on) di 73 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione sotto carico
• La carica gate tipica di 177 nC riduce le perdite di commutazione
• La dissipazione di potenza massima di 500 W gestisce carichi termici elevati
• L'intervallo di funzionamento da -55 a 175 °C supporta ampie temperature estreme

Applicazioni


• Adatto per alimentatori e inverter ad alta tensione
• Ideale per le fasi di azionamento dei motori di trazione o industriali
• Utilizzato per topologie a commutazione dura e a commutazione morbida
• Può essere utilizzato per l'elettronica dei convertitori di energia rinnovabile
• Adatto per moduli elettronici automobilistici che richiedono AEC‐Q101

Quali considerazioni di montaggio si applicano a questo componente?


Il dispositivo utilizza un montaggio a foro passante in un contenitore TO-247AD, che consente il dissipamento diretto con una linguetta isolata o nuda adatta e un montaggio a vite convenzionale per la gestione termica.

In che modo la gestione del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?


Con una carica gate tipica di 177 nC, la selezione del driver gate deve fornire una corrente di picco sufficiente per ottenere il dv/dt richiesto e ridurre al minimo le perdite di transizione.

Quali sollecitazioni termiche può tollerare durante il funzionamento?


Il transistor è specificato per funzionare tra -55 °C e 175 °C, pertanto il layout del circuito stampato e il raffreddamento devono essere progettati per mantenere la temperatura di giunzione all'interno di tale intervallo di dissipazione nominale.

Esistono considerazioni per l'uso nel settore automobilistico?


Soddisfa la qualifica AEC‐Q101, il che lo rende adatto per i sistemi elettronici automobilistici in cui è richiesta la qualifica specificata.

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