MOSFET Littelfuse, canale N, 0,0055 Ω, 220 A, TO-268-3, Montaggio superficiale

I MOSFET IXTT220N20X4HV Littlefuse sono progettati con la più recente tecnologia di giunzione Ultra per applicazioni di potenza ad alta efficienza. Sono disponibili in contenitori TO-247 e TO-268HV. Offrono una RDS(ON) inferiore simultaneamente con gate e cariche di uscita ridotte, che consentono una commutazione più efficiente a una data frequenza.

Bassa carica di gate
Bassa resistenza RDS(on)
Bassa RthJC
La temperatura d'esercizio è di 175 °C.
Elevato valore nominale dell'effetto valanga (900mJ - 1J)