MOSFET onsemi, canale N 500 V, 3 Ω N, 2 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie FDT4N50NZU
- Codice RS:
- 229-6327P
- Codice costruttore:
- FDT4N50NZU
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 229-6327P
- Codice costruttore:
- FDT4N50NZU
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 2A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Serie | UniFET II | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3Ω | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.7mm | |
| Larghezza | 3.7mm | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 2A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Serie UniFET II | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3Ω | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.7mm | ||
Larghezza 3.7mm | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET ad alta tensione UniFET II on Semiconductor basato su Advanced Planar stripe e tecnologia DMOS. Questo MOSFET Advanced è dotato della più piccola resistenza in stato attivo tra i MOSFET planari e offre anche prestazioni di commutazione superiori e una maggiore resistenza all'alimentazione a valanga. È adatto per applicazioni di conversione di potenza switching, come ad esempio correzione del fattore di potenza, display a schermo piatto, alimentazione TV, ATX e resistenze per lampade elettroniche.
Carica di gate ultra bassa
Testato con effetto valanga al 100%
Senza piombo−
Senza alogeni
Conformità RoHS