MOSFET onsemi, canale N 120 V, 20 mΩ P, 79 A, 8 Pin, SO-8, Superficie
- Codice RS:
- 229-6467P
- Codice costruttore:
- NTMFS008N12MCT1G
- Costruttore:
- onsemi
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Unità | Per unità |
|---|---|
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| 100 - 495 | 1,928 € |
| 500 - 995 | 1,694 € |
| 1000 + | 1,54 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-6467P
- Codice costruttore:
- NTMFS008N12MCT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 79A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 120V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | NTMF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 20mΩ | |
| Modalità canale | P | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 102W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 6.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 79A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 120V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie NTMF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 20mΩ | ||
Modalità canale P | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 102W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 5.3mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.1mm | ||
Lunghezza 6.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il contenitore con cavo piatto MOSFET di potenza a canale N on Semiconductor è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Viene utilizzato per alimentatori switching, interruttori di alimentazione, gestione della batteria e protezione.
Riduce al minimo le perdite di conduzione
Ridurre al minimo le perdite di driver
Conformità RoHS