MOSFET onsemi, canale N 150 V, 22 mΩ N, 41.9 A, 8 Pin, SO-8, Superficie NTMFS022N15MC
- Codice RS:
- 229-6469P
- Codice costruttore:
- NTMFS022N15MC
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 229-6469P
- Codice costruttore:
- NTMFS022N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 41.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 22mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 80.6W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.3mm | |
| Larghezza | 1.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 41.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 22mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 80.6W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.3mm | ||
Larghezza 1.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando Advanced Power Trench Process che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.
Riduce al minimo le perdite di conduzione
Ridurre al minimo le perdite di driver
Basso rumore di commutazione/livello di EMI