MOSFET onsemi, canale N 100 V, 7.6 mΩ N, 110 A, 8 Pin, PQFN, Superficie
- Codice RS:
- 229-6473P
- Codice costruttore:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 229-6473P
- Codice costruttore:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 7.6mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 92nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 187W | |
| Tensione diretta Vf | 840mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Altezza | 6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package PQFN | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 7.6mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 92nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 187W | ||
Tensione diretta Vf 840mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 1.1mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Altezza 6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando Advanced Power Trench Process che incorpora la tecnologia gate schermata. Questo processo è stato ottimizzato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e allo stesso tempo, mantenere prestazioni di commutazione superiori con il diodo incorporato soft migliore della sua classe.
Riduce al minimo le perdite di conduzione
Elevata capacità di corrente Peak UIS per una maggiore robustezza
Senza alogeni
Senza piombo