MOSFET onsemi, canale N 80 V, 10 mΩ N, 61 A, 8 Pin, DFN, Superficie
- Codice RS:
- 229-6475P
- Codice costruttore:
- NTMFSC010N08M7
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 229-6475P
- Codice costruttore:
- NTMFSC010N08M7
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 61A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Tipo di package | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 78.1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.25mm | |
| Larghezza | 0.95mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 5.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 61A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Tipo di package DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 78.1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.25mm | ||
Larghezza 0.95mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 5.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced Power Trench. i progressi nelle tecnologie del silicio e del contenitore a raffreddamento doppio sono stati combinati per offrire la resistenza più bassa in stato attivo, mantenendo al contempo eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla giunzione estremamente bassa alla resistenza termica ambiente.
Migliore capacità termica del contenitore
Riduce la perdita di conduzione
Maggiore efficienza del sistema
Il materiale della confezione è conforme ai requisiti più recenti