MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 125 mΩ N, 24 A, 8 Pin, TDFN, Superficie

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Codice RS:
229-6479
Codice costruttore:
NTMT125N65S3H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

24A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

SUPERFET III

Tipo di package

TDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44nC

Dissipazione di potenza massima Pd

171W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.1 mm

Altezza

8.1mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

La serie SUPER FET on Semiconductor è costituita da MOSFET a super giunzione ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Capacità di uscita effettiva bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Senza piombo−

Conformità RoHS

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