MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 1.7 mΩ N, 241.3 A, 8 Pin, H-PSOF, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6503P
Codice costruttore:
NVBLS1D7N08H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

241.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

H-PSOF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

121nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

237.5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

13.28mm

Larghezza

2.4 mm

Lunghezza

10.2mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza per uso automobilistico on Semiconductor in un contenitore A PEDAGGIO per progetti efficienti con elevate prestazioni termiche. Ha una corrente di drain di 241,3 A.

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Ridurre al minimo le perdite di driver

Bassa resistenza in stato attivo