MOSFET onsemi, canale N 150 V, 4.45 mΩ N, 165 A, 8 Pin, DFN, Superficie NVMTS4D3N15MC

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6505P
Codice costruttore:
NVMTS4D3N15MC
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

165A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

DFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.45mΩ

Modalità canale

N

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

292W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

79nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.42mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.2mm

Lunghezza

8.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 8x8mm è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Fiancata bagnabile per una migliore ispezione ottica. È utilizzato nella protezione della batteria dell'inversore, negli alimentatori switching e negli interruttori di alimentazione.

Design compatto

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Ridurre al minimo le perdite di driver

Ispezione ottica migliorata

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