Singolo MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 65 V, B4E, Superficie Miglioramento, 4 Pin RF2L16180CB4

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
230-0085P
Codice costruttore:
RF2L16180CB4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

65V

Tipo di package

B4E

Serie

RF2L

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Modalità canale

Miglioramento

Temperatura massima di funzionamento

200°C

Configurazione transistor

Singolo

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

9.4mm

Lunghezza

27.94mm

Guadagno potenza tipico

14dB

Standard automobilistico

No

Il dispositivo STMicroelectronics RF2L16180CB4 è un transistor LDMOS con adattamento interno da 180 W, 28 V progettato per stazione base WCDMA/PCS/DCS/LTE multiportante e applicazioni ISM con frequenze da 1300 a 1600 MHz. Quattro derivazioni possono essere configurate come a terminazione singola, push-pull a 180 gradi o come ibride o Doherty a 90 gradi con una rete di adattamento esterna appropriata.

Elevata efficienza e operazioni di guadagno lineare

Protezione ESD integrata

Corrispondenza interna per una maggiore facilità d'uso

Ottimizzato per applicazioni Doherty