MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 52 mΩ Miglioramento, 60 A, 4 Pin, Hip-247, Foro passante
- Codice RS:
- 230-0094P
- Codice costruttore:
- SCTWA60N120G2-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 230-0094P
- Codice costruttore:
- SCTWA60N120G2-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | SCTW | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 52mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensione diretta Vf | 3V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 388W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 5.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.9mm | |
| Altezza | 21.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie SCTW | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 52mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensione diretta Vf 3V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 388W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 5.1 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.9mm | ||
Altezza 21.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il dispositivo STMicroelectronics SCTWA60N è un MOSFET di potenza in carburo di silicio sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse
Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza