MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 80 V, 4.5 mΩ, 120 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie
- Codice RS:
- 230-0097P
- Codice costruttore:
- STL125N8F7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,612 € |
| 50 - 120 | 2,35 € |
| 125 - 245 | 2,116 € |
| 250 + | 2,008 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 230-0097P
- Codice costruttore:
- STL125N8F7AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 80V | |
| Serie | STL1 | |
| Tipo di package | PowerFLAT | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 76nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 167W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.4mm | |
| Larghezza | 5.2 mm | |
| Altezza | 1mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V | ||
Serie STL1 | ||
Tipo di package PowerFLAT | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 76nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 167W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.4mm | ||
Larghezza 5.2 mm | ||
Altezza 1mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics STL125N8F7AG utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura trench gate migliorata che si traduce in una resistenza molto bassa in stato attivo, riducendo al contempo la capacità interna e la carica del gate per una commutazione più rapida ed efficiente.
Elevata resistenza alle valanghe
Contenitore Wettable Flank
Qualifica AEC-Q101
Eccellente FOM