MOSFET onsemi, canale N 600 V, 99 mΩ Miglioramento, 33 A, 3 Pin, TO-247, Superficie
- Codice RS:
- 230-9089P
- Codice costruttore:
- NTHL099N60S5
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 230-9089P
- Codice costruttore:
- NTHL099N60S5
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 33A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | TO-247 | |
| Serie | SUPERFET V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 99mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 48nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 184W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 41.07mm | |
| Lunghezza | 15.87mm | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 33A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package TO-247 | ||
Serie SUPERFET V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 99mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 48nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 184W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 41.07mm | ||
Lunghezza 15.87mm | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie on Semiconductor di MOSFET SUPERFET V è la famiglia di MOSFET a giunzione super−(SJ) ad alta tensione di quinta generazione da on Semiconductor. SUPERFET V offre i migliori FOM della categoria−−(RDS(ON)·QG e RDS(ON)·EOSS) per migliorare non solo il carico pesante ma anche l'efficienza con carico leggero. La serie 600 V SUPERET V offre vantaggi progettuali grazie a perdite di conduzione e commutazione ridotte, supportando al contempo valori nominali DVD/dt del MOSFET estremi a 120 V/ns e valori nominali DVD/dt del diodo ad alto corpo a 50 V/ns. Di conseguenza, la serie MOSFET Easy Drive SUPERFET V combina eccellenti prestazioni di commutazione senza sacrificare la facilità d'uso per topologie di commutazione sia hard che soft. Aiuta a gestire i problemi EMI e consente un'implementazione più semplice della progettazione con un'eccellente efficienza del sistema.
Carica di gate ultra bassa (tip. QG= 48 NC)
Bassa perdita di commutazione
Bassa capacità di uscita correlata al tempo (tip. COSS(tr.)= 642 pF)
Bassa perdita di commutazione
Capacità ottimizzata
Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore
650 V @ TJ = 150 °C.
Tip. RDS(ON) = 79,2 m Ω
Testato al 100% con effetto valanga
Conformità RoHS
Resistenza di gate interna: 6,9 Ω