MOSFET Infineon, canale N 650 V, 34 mΩ Miglioramento, 59 A, 4 Pin, TO-247, Foro passante IMZA65R027M1HXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
232-0401
Codice costruttore:
IMZA65R027M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

34mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Infineon è dotato di MOSFET SiC che offre prestazioni affidabili ed economiche in un contenitore TO247 a 4 pin. Il MOSFET CoolSiC da 650 V offre una combinazione unica di prestazioni, affidabilità e facilità d'uso. Adatto per temperature elevate e operazioni difficili, consente l'implementazione semplificata e conveniente della massima efficienza del sistema. Il MOSFET in contenitore TO247 a 4 pin riduce gli effetti dell'induttanza parassita della sorgente sul circuito del gate consentendo una commutazione più rapida e una maggiore efficienza.

Basse capacità

Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate

Eccellente affidabilità dell'ossido di gate

Eccellente comportamento termico

Maggiore capacità con effetto valanga

Funziona con driver standard

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