MOSFET Infineon, canale N, 0.111 Ω, 26 A, TO-247-4, Su foro

Il Infineon è dotato di MOSFET SiC che offre prestazioni affidabili ed economiche in un contenitore TO247 a 4 pin. La tecnologia MOSFET CoolSiC sfrutta le forti caratteristiche fisiche del carburo di silicio, aggiungendo caratteristiche uniche che aumentano le prestazioni, la robustezza e la facilità d'uso del dispositivo. Il MOSFET 650V è costruito su un semiconduttore trench all'avanguardia, ottimizzato per non consentire compromessi nel ottenere sia le perdite più basse nell'applicazione che la massima affidabilità nel funzionamento.

Basse capacità
Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate
Eccellente affidabilità dell'ossido di gate
Eccellente comportamento termico
Maggiore capacità con effetto valanga
Funziona con i driver standard