MOSFET STMicroelectronics, canale N, 0.052 Ω 1.2 kV, 60 A Miglioramento, H2PAK-7, Superficie, 7 Pin SCTH60N120G2-7
- Codice RS:
- 233-0471P
- Codice costruttore:
- SCTH60N120G2-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 233-0471P
- Codice costruttore:
- SCTH60N120G2-7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 0.052 Ω | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 1.2 kV | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 60 A | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tipo di package | H2PAK-7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 0.052 Ω | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 1.2 kV | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 60 A | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tipo di package H2PAK-7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode.
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency