MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 30 mΩ Miglioramento, 91 A, 4 Pin, Hip-247, Foro passante
- Codice RS:
- 233-0475P
- Codice costruttore:
- SCTWA70N120G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- 233-0475P
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- SCTWA70N120G2V-4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 91A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1.2kV | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA70N120G2V-4 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 30mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 2.7V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 547W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 22V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Altezza | 5mm | |
| Lunghezza | 34.8mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 15.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 91A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1.2kV | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Serie SCTWA70N120G2V-4 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 30mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 2.7V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 547W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 150nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 22V | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Altezza 5mm | ||
Lunghezza 34.8mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 15.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il dispositivo MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è stato sviluppato utilizzando l'Advanced e innovativa tecnologia MOSFET SiC di 2nd generazione di ST. Il dispositivo presenta una resistenza all'accensione notevolmente bassa per unità di area e ottime prestazioni di commutazione. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione.
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse
Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)
Pin di rilevamento della sorgente per una maggiore efficienza