MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 21 mΩ Miglioramento, 91 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante
- Codice RS:
- 233-3024P
- Codice costruttore:
- SCTW70N120G2V
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- Codice RS:
- 233-3024P
- Codice costruttore:
- SCTW70N120G2V
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 91A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Serie | SCTW70N | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 21mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 547W | |
| Tensione diretta Vf | 2.7V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 91A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Serie SCTW70N | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 547W | ||
Tensione diretta Vf 2.7V | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SIC consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard del settore con una capacità termica notevolmente migliorata. Queste caratteristiche rendono il dispositivo perfettamente adatto per applicazioni ad alta efficienza ed elevata densità di potenza.
Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse