MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 1200 V, 21 mΩ Miglioramento, 91 A, 3 Pin, Hip-247, Foro passante
- Codice RS:
- 233-3024P
- Codice costruttore:
- SCTW70N120G2V
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 5 unità (fornito in tubo)*
181,45 €
(IVA esclusa)
221,35 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 21 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità |
|---|---|
| 5 - 9 | 36,29 € |
| 10 - 14 | 35,34 € |
| 15 - 19 | 34,44 € |
| 20 + | 33,56 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 233-3024P
- Codice costruttore:
- SCTW70N120G2V
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 91A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 1200V | |
| Serie | SCTW70N | |
| Tipo di package | Hip-247 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 21mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 547W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tensione diretta Vf | 2.7V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 200°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 15.75mm | |
| Altezza | 20.15mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 91A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 1200V | ||
Serie SCTW70N | ||
Tipo di package Hip-247 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 21mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 547W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 28nC | ||
Tensione diretta Vf 2.7V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 200°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 15.75mm | ||
Altezza 20.15mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza in carburo di silicio STMicroelectronics è prodotto sfruttando le proprietà Advanced e innovative dei materiali a larga banda proibita. Ciò si traduce in una resistenza all'accensione insuperabile per unità di superficie e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura. Le eccezionali proprietà termiche del materiale SIC consentono ai progettisti di utilizzare un profilo standard del settore con una capacità termica notevolmente migliorata. Queste caratteristiche rendono il dispositivo perfettamente adatto per applicazioni ad alta efficienza ed elevata densità di potenza.
Capacità di temperatura di giunzione d'esercizio molto elevata (TJ = 200 °C)
Diodo a corpo intrinseco molto rapido e robusto
Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse