MOSFET STMicroelectronics, canale N 1.2 kV, 690 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, H2PAK, Superficie STH12N120K5-2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3041P
Codice costruttore:
STH12N120K5-2
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1.2kV

Serie

STB37N60

Tipo di package

H2PAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

690mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

44.2nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.8mm

Lunghezza

10.4mm

Larghezza

15.8mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza a canale N ad altissima tensione STMicroelectronics sono progettati utilizzando la tecnologia MDmesh™ K5 basata su un'innovativa struttura verticale proprietaria. Il risultato è una notevole riduzione della resistenza in stato attivo e della carica di gate ultra bassa per le applicazioni che richiedono un'eccellente densità di potenza ed elevata efficienza.

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