MOSFET STMicroelectronics, canale N 60 V, 7 mΩ Miglioramento, 4 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3092P
Codice costruttore:
STN3NF06
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STN3N

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.6mm

Lunghezza

6.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è l'ultima evoluzione dell'esclusivo processo basato su striscia "dimensione singola caratteristica™" STMicroelectronics. Il transistore risultante presenta una densità di impaccamento estremamente elevata per una bassa resistenza all'accensione, caratteristiche a valanga robuste e fasi di allineamento meno critiche, quindi una notevole riproducibilità di fabbricazione.

Eccezionale capacità dv/dt

Tecnologia a valanga resistente

Testato con effetto valanga al 100%

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