MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 4 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, H2PAK-2, Superficie STH200N10WF7-2
- Codice RS:
- 234-8896P
- Codice costruttore:
- STH200N10WF7-2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 10 - 99 | 4,33 € |
| 100 - 249 | 4,25 € |
| 250 - 499 | 4,18 € |
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- Codice RS:
- 234-8896P
- Codice costruttore:
- STH200N10WF7-2
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | STH200 | |
| Tipo di package | H2PAK-2 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 340W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 93nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie STH200 | ||
Tipo di package H2PAK-2 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 340W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 93nC | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a canale N STMicroelectronics utilizza la tecnologia STripFET F7 con una struttura Trench Gate potenziata che aumenta la capacità di resistere alla modalità lineare e fornisce un SOA più ampio combinato con una resistenza in stato attivo molto bassa. Il MOSFET risultante assicura il miglior compromesso tra modalità lineare e operazioni di commutazione.
Capacità SOA migliore della categoria.
Capacità di picco di corrente di scarica elevata.
Resistenza in stato attivoestremamente bassa