MOSFET STMicroelectronics, canale N 600 V, 80 mΩ, 36 A, 7 Pin, HU3PAK, Superficie STHU47N60DM6AG
- Codice RS:
- 234-8901P
- Codice costruttore:
- STHU47N60DM6AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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- Codice RS:
- 234-8901P
- Codice costruttore:
- STHU47N60DM6AG
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 36A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Tipo di package | HU3PAK | |
| Serie | STHU47 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 55nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Tensione diretta Vf | 1.6V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 25V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 36A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Tipo di package HU3PAK | ||
Serie STHU47 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 55nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Tensione diretta Vf 1.6V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 25V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione STMicroelectronics fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh DM6. Rispetto alla generazione rapida MDmesh precedente, il DM6 combina carica di recupero molto bassa (Qrr), tempo di recupero (trr) e eccellente miglioramento di RDS(on) per area con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili sul mercato per le topologie a ponte più impegnative ad alta efficienza e i convertitori a spostamento di fase ZVS.
Certificazione AEC-Q101,
diodo corpo a recupero rapido,
RDS(on) inferiore per area rispetto alla generazione precedente,
carica gate bassa, capacità di ingresso e resistenza
a 100% testati a valanga