MOSFET ROHM, canale N 650 V, 1.05 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-252, Superficie R6504KND3TL1
- Codice RS:
- 235-2683P
- Codice costruttore:
- R6504KND3TL1
- Costruttore:
- ROHM
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 50 - 95 | 1,548 € |
| 100 - 245 | 1,20 € |
| 250 - 995 | 1,174 € |
| 1000 + | 0,78 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 235-2683P
- Codice costruttore:
- R6504KND3TL1
- Costruttore:
- ROHM
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | ROHM | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 650V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.05Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 58W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 2.4mm | |
| Lunghezza | 6.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 10.4mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio ROHM | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 650V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.05Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 58W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 2.4mm | ||
Lunghezza 6.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 10.4mm | ||
Standard automobilistico No | ||
ROHM serie R6xxxKNx è un prodotto di commutazione ad alta velocità, MOSFET a super giunzione che pone l'accento sull'elevata efficienza. Garantisce una maggiore efficienza grazie alla commutazione ad alta velocità. La commutazione ad alta velocità rende possibile contribuire a una maggiore efficienza nei circuiti PFC e LLC.
Bassa resistenza in stato attivo
Velocità di commutazione ultra-veloce
Uso facile in parallelo
Placcatura senza piombo
Conformità RoHS