MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.24 mΩ, 192 A, 8 Pin, TDSON, Superficie ISC027N10NM6ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
235-4865
Codice costruttore:
ISC027N10NM6ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

192A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ISC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.24mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

91nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

245W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

1.1 mm

Lunghezza

6.1mm

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale 100V Infineon OptiMOS™ 6 è progettato per applicazioni ad alta frequenza di commutazione, come ad esempio le telecomunicazioni e l'alimentatore per server, ma è anche la scelta ideale per altre applicazioni, come quelle solari, utensili elettrici e droni. Rispetto ai prodotti alternativi, la tecnologia a lamelle sottili di Infineon leader nel settore offre notevoli vantaggi in termini di prestazioni.

Carica di recupero inverso più bassa e più morbida

Ideale per una frequenza di commutazione elevata

Elevato livello di energia a valanga

Conformità RoHS

Basse perdite di conduzione

Basse perdite di commutazione

Ecologico

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